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概述

調(diào)研大綱

一、芯片行業(yè)投融資動(dòng)態(tài)

1、智平方完成數(shù)億人民幣Pre-A輪融資

1月7日，智平方完成數(shù)億人民幣Pre-A輪融資，投資方為達(dá)晨財(cái)智、基石資本、敦鴻資產(chǎn)。智平方成立于2023年，公司總部位于中國廣東省，是一家智能機(jī)器人研發(fā)商。

2、小雨智造完成A+輪融資

1月7日，小雨智造完成A+輪融資。小雨智造成立于2023年，公司總部位于中國北京市，是一家工業(yè)機(jī)器人制造商。

3、歷正科技完成數(shù)億人民幣C輪融資

1月6日，歷正科技完成數(shù)億人民幣C輪融資，投資方為元璟資本、廣發(fā)信德投資、河南農(nóng)業(yè)開發(fā)。歷正科技成立于2018年，公司總部位于中國北京市，是一家無人機(jī)防御系統(tǒng)研發(fā)商。

4、大漠大智控完成數(shù)億人民幣A輪融資

1月6日，大漠大智控完成數(shù)億人民幣A輪融資，投資方為同創(chuàng)偉業(yè)、招銀國際、深圳高新投、湖南財(cái)鑫集團(tuán)、招商局創(chuàng)投。大漠大智控成立于2016年，公司總部位于中國廣東省，是一家無人機(jī)飛行控制系統(tǒng)及集群編隊(duì)技術(shù)研發(fā)商。

二、月度重要政策動(dòng)態(tài)

1、最高法發(fā)布以高質(zhì)量審判服務(wù)保障科技創(chuàng)新的意見

【最高人民法院發(fā)布《最高人民法院關(guān)于以高質(zhì)量審判服務(wù)保障科技創(chuàng)新的意見》】1月6日，最高人民法院發(fā)布《最高人民法院關(guān)于以高質(zhì)量審判服務(wù)保障科技創(chuàng)新的意見》，其中提出，《意見》要求加強(qiáng)科技創(chuàng)新成果司法保護(hù)，助力因地制宜發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力?！兑庖姟返诙糠致鋵?shí)黨的二十屆三中全會(huì)提出的“健全因地制宜發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力體制機(jī)制”要求，共涉及6條28項(xiàng)具體舉措。主要包括兩項(xiàng)制度方面的舉措，即實(shí)施確保司法保護(hù)強(qiáng)度與科技創(chuàng)新程度相協(xié)調(diào)的司法政策，完善專利授權(quán)確權(quán)行政訴訟審理標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，還從工業(yè)設(shè)計(jì)、數(shù)字經(jīng)濟(jì)、商業(yè)秘密、重點(diǎn)領(lǐng)域四個(gè)方面提出了科技創(chuàng)新成果的司法保護(hù)規(guī)則。

2、《深圳市龍華區(qū)關(guān)于支持半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》發(fā)布

【廣東省深圳市龍華區(qū)人民政府辦公室發(fā)布《深圳市龍華區(qū)關(guān)于支持半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》】12月16日，廣東省深圳市龍華區(qū)人民政府辦公室發(fā)布《深圳市龍華區(qū)關(guān)于支持半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干措施》，其中提出，支持半導(dǎo)體與集成電路設(shè)計(jì)。

（一）支持EDA購買。對購買國產(chǎn)化EDA設(shè)計(jì)工具軟件（含軟件升級費(fèi)用）開展芯片研發(fā)的企業(yè)，按照上年度實(shí)際支出費(fèi)用的15%給予每年最高100萬元的資助。

（二）支持IP購買。對購買國產(chǎn)化IP開展芯片研發(fā)的企業(yè)，按照上年度實(shí)際支出費(fèi)用的30%給予每年最高100萬元的資助。

（三）開展MPW（多項(xiàng)目晶圓）項(xiàng)目。對開展MPW流片的企業(yè)，按照上年度MPW流片費(fèi)用的50%給予每年最高100萬元的資助。

（四）首次工程流片。對開展首次工程流片的企業(yè)，按照上年度首次工程流片費(fèi)用的20%給予每年最高100萬元的資助。

本條政策年度資助總金額最高1500萬元。

3、江蘇出臺14條措施，實(shí)施現(xiàn)代高科技服務(wù)業(yè)倍增行動(dòng)

【江蘇省科學(xué)技術(shù)廳、省發(fā)展和改革委員會(huì)聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于加快培育壯大現(xiàn)代高科技服務(wù)業(yè)的若干政策措施》】12月5日，江蘇省科學(xué)技術(shù)廳、省發(fā)展和改革委員會(huì)聯(lián)合發(fā)布《關(guān)于加快培育壯大現(xiàn)代高科技服務(wù)業(yè)的若干政策措施》，新出臺的14條政策措施，涉及大力培育領(lǐng)軍企業(yè)、積極構(gòu)建產(chǎn)業(yè)集群和打造產(chǎn)業(yè)發(fā)展生態(tài)等3個(gè)方面。

為大力培育領(lǐng)軍企業(yè)，江蘇將采取“做優(yōu)做強(qiáng)頭部公司”“培育壯大隱形冠軍”“開展‘小升高’行動(dòng)”“孵化新業(yè)態(tài)新模式”等4條措施，分類分級給予企業(yè)政策支持。概括而言，既積極招引國內(nèi)外頭部科技服務(wù)業(yè)企業(yè)在蘇設(shè)立區(qū)域總部、功能性總部；也引導(dǎo)省內(nèi)科技服務(wù)業(yè)企業(yè)通過交叉持股、并購重組以及戰(zhàn)略合作等方式，提升發(fā)展能級，打造服務(wù)品牌；還鼓勵(lì)新型研發(fā)機(jī)構(gòu)、高新園區(qū)、各類孵化器以及大學(xué)科技園等，培育未來產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的科技服務(wù)業(yè)企業(yè)。

4、重慶出臺專項(xiàng)措施支持具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展

【重慶市經(jīng)濟(jì)信息委、市科技局、市市場監(jiān)管局、市人力社保局、市教委、市國資委、市商務(wù)委等七部門聯(lián)合發(fā)布《重慶市支持具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展若干政策措施》】12月4日，重慶市經(jīng)濟(jì)信息委、市科技局、市市場監(jiān)管局、市人力社保局、市教委、市國資委、市商務(wù)委等七部門聯(lián)合發(fā)布《重慶市支持具身智能機(jī)器人產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展若干政策措施》，其中提出，支持具身智能機(jī)器人企業(yè)牽頭組建產(chǎn)業(yè)研究院、產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新綜合體、制造業(yè)創(chuàng)新中心，支持相關(guān)企業(yè)、科研機(jī)構(gòu)、高等院校在結(jié)構(gòu)學(xué)與機(jī)器人設(shè)計(jì)、環(huán)境交互與自主控制、人機(jī)協(xié)作與群體智能、虛擬仿真與虛實(shí)轉(zhuǎn)換等方面新建一批企業(yè)技術(shù)中心、產(chǎn)業(yè)技術(shù)工程化中心、重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、概念驗(yàn)證中心等創(chuàng)新平臺。

三、行業(yè)內(nèi)頭部企業(yè)動(dòng)態(tài)

1、圣邦股份

圣邦微電子取得微功耗的電平翻轉(zhuǎn)電路及降低電路中瞬態(tài)電流的方法專利

1月8日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，圣邦微電子（北京）股份有限公司取得一項(xiàng)名為“微功耗的電平翻轉(zhuǎn)電路及降低電路中瞬態(tài)電流的方法”的專利，授權(quán)公告號 CN 114070297 B ，申請日期為 2020年8月。

圣邦微電子（北京）股份有限公司，成立于2007年，位于北京市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本47198.0615萬人民幣，實(shí)繳資本46948.74萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，圣邦微電子（北京）股份有限公司共對外投資了18家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目25次，知識產(chǎn)權(quán)方面有商標(biāo)信息50條，專利信息911條，此外企業(yè)還擁有行政許可5個(gè)。

圣邦股份：1月6日獲融資買入832.81萬元

1月6日，圣邦股份獲融資買入832.81萬元，占當(dāng)日買入金額的6.84%，當(dāng)前融資余額5.07億元，占流通市值的1.49%，超過歷史90%分位水平，兩融余額較昨日下滑0.49%。

圣邦微電子取得端口復(fù)用電路及電子設(shè)備專利

1月4日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，圣邦微電子（北京）股份有限公司取得一項(xiàng)名為“端口復(fù)用電路及電子設(shè)備”的專利，授權(quán)公告號CN 114337639 B，申請日期為2020年9月。

圣邦微電子（北京）股份有限公司，成立于2007年，位于北京市，是一家以從事計(jì)算機(jī)、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本47198.0615萬人民幣，實(shí)繳資本46948.74萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，圣邦微電子（北京）股份有限公司共對外投資了18家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目25次，知識產(chǎn)權(quán)方面有商標(biāo)信息50條，專利信息909條，此外企業(yè)還擁有行政許可5個(gè)。

圣邦微電子申請芯片工作模式確定電路專利，控制芯片工作模式

12月26日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，圣邦微電子（北京）股份有限公司申請一項(xiàng)名為“芯片工作模式確定電路”的專利，公開號CN 119179371 A，申請日期為2024年8月。

專利摘要顯示，本公開實(shí)施例提供的芯片工作模式確定電路，包括：周期分割模塊，將接收的初始時(shí)鐘信號進(jìn)行周期分割得到N 個(gè)關(guān)聯(lián)時(shí)鐘信號；RC放電模塊，在第N個(gè)關(guān)聯(lián)時(shí)鐘信號由低電平變?yōu)楦唠娖綍r(shí)，電容放電；功能電壓產(chǎn)生模塊，根據(jù)電容的第一電壓確定第一電流，根據(jù)第一電流和外接電阻確定功能節(jié)點(diǎn)的第二電壓；比較模塊，根據(jù)第二電壓和基準(zhǔn)電壓的關(guān)系，輸出第一電平信號至?xí)r鐘狀態(tài)鎖存模塊；時(shí)鐘狀態(tài)鎖存模塊，在比較模塊輸出的第一電平信號為高電平時(shí)，控制時(shí)鐘狀態(tài)鎖存模塊將初始時(shí)鐘信號和N個(gè)關(guān)聯(lián)時(shí)鐘信號鎖存，以及根據(jù)鎖存的初始時(shí)鐘信號和N個(gè)關(guān)聯(lián)時(shí)鐘信號確定芯片的工作模式。

圣邦股份在上海成立微電子新公司

12月16日，圣邦股份在上海成立全資子公司上海圣邦駿盈微電子有限公司，注冊資本3000萬元，經(jīng)營范圍包含集成電路設(shè)計(jì)、銷售及服務(wù)等。

2、中芯國際

中芯國際：1月8日獲融資買入8.23億元

1月8日，中芯國際獲融資買入8.23億元，占當(dāng)日買入金額的26.82%，當(dāng)前融資余額77.78億元，占流通市值的4.4%，超過歷史90%分位水平，兩融余額77.99億元，較昨日下滑0.66%，但余額仍超過歷史70%分位水平。

中芯國際：1月7日獲融資買入7.99億元，占當(dāng)日流入資金比例24.96%

1月7日，中芯國際獲融資買入7.99億元，占當(dāng)日買入金額的24.96%，當(dāng)前融資余額78.30億元，占流通市值的4.35%，超過歷史90%分位水平，兩融余額較昨日上升0.92%，余額超過歷史70%分位水平。

中芯國際申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法專利，降低目標(biāo)層相對介電常數(shù)

據(jù)市場調(diào)研發(fā)現(xiàn)，12月26日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司申請一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法”的專利，公開號 CN 119181672 A，申請日期為2023年6月。

專利摘要顯示，一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：提供基底，基底上形成有待沉積結(jié)構(gòu)；在待沉積結(jié)構(gòu)上沉積目標(biāo)層，目標(biāo)層的材料含有Si元素、C元素和N元素；對目標(biāo)層進(jìn)行熱退火處理，使目標(biāo)層的材料重新成鍵以形成成鍵結(jié)構(gòu)，成鍵結(jié)構(gòu)包括含有SiC和SiCN。本發(fā)明對目標(biāo)層進(jìn)行熱退火處理，使目標(biāo)層的材料重新成鍵以形成成鍵結(jié)構(gòu)，成鍵結(jié)構(gòu)包括SiC和SiCN，由于SiC成鍵結(jié)構(gòu)的鍵合極性較小，因而降低了目標(biāo)層的相對介電常數(shù)的值，相應(yīng)也減小了寄生電容；而且C元素有利于提高目標(biāo)層的抗刻蝕能力，N元素有利于提高目標(biāo)層的機(jī)械強(qiáng)度，從而在降低目標(biāo)層的相對介電常數(shù)的同時(shí)，提高了目標(biāo)層的耐刻蝕性和機(jī)械性能。

中芯國際申請光電傳感器及其形成方法等專利，光電傳感器的性能得到提升

12月25日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中芯國際集成電路制造(北京)有限公司、中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項(xiàng)名為“光電傳感器及其形成方法、圖像傳感器及其形成方法”的專利，公開號CN 119170613 A，申請日期為2023年6月。

專利摘要顯示，一種光電傳感器及其形成方法、圖像傳感器及其形成方法，光電傳感器包括：襯底，所述襯底包括感光區(qū)和環(huán)繞所述感光區(qū)的隔離區(qū)；位于感光區(qū)內(nèi)的感光結(jié)構(gòu)；位于襯底上的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；位于隔離區(qū)內(nèi)和光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)內(nèi)的隔離溝槽，所述隔離溝槽環(huán)繞所述感光區(qū)，所述隔離溝槽包括第一部分和位于第一部分上的第二部分，所述第二部分位于所述光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)內(nèi)，所述第一部分位于所述隔離區(qū)內(nèi)；位于第二部分側(cè)壁的反射層；位于隔離溝槽內(nèi)的隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)還位于所述反射層表面，所述反射層材料的折射率小于隔離結(jié)構(gòu)材料的折射率。

中芯國際申請閃存結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高所形成的閃存結(jié)構(gòu)的擦除效率

12月23日，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，中芯國際集成電路制造(北京)有限公司、中芯國際集成電路制造(上海)有限公司申請一項(xiàng)名為“閃存結(jié)構(gòu)及其形成方法”的專利，公開號CN 119156008 A，申請日期為2023年6月。

專利摘要顯示，一種閃存結(jié)構(gòu)及其形成方法，其中結(jié)構(gòu)包括：襯底；位于所述襯底上的相互分立的兩個(gè)存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)，所述兩個(gè)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)之間具有開口，各存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)包括浮柵、位于所述浮柵上的控制柵介質(zhì)層和位于所述控制柵介質(zhì)層上的控制柵，各所述浮柵具有所述開口暴露出的第一側(cè)壁，所述第一側(cè)壁呈波紋結(jié)構(gòu)，所述波紋結(jié)構(gòu)包括若干凸起部，所述若干凸起部在垂直于所述襯底表面方向上排布，所述凸起部的底部尺寸大于頂部尺寸；位于所述開口內(nèi)的擦除柵結(jié)構(gòu)；分別位于所述存儲(chǔ)柵結(jié)構(gòu)和擦除柵結(jié)構(gòu)兩側(cè)的字線結(jié)構(gòu)，提高所形成的閃存結(jié)構(gòu)的擦除效率。

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